सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक्सच्या चार सिंटरिंग प्रक्रिया

सिलिकॉन कार्बाइड सिरॅमिक्समध्ये उच्च तापमान सामर्थ्य, उच्च तापमान ऑक्सिडेशन प्रतिरोध, चांगला पोशाख प्रतिरोध, चांगली थर्मल स्थिरता, थर्मल विस्ताराचे लहान गुणांक, उच्च थर्मल चालकता, उच्च कडकपणा, उष्णता शॉक प्रतिरोध, रासायनिक गंज प्रतिरोध आणि इतर उत्कृष्ट गुणधर्म आहेत.हे ऑटोमोबाईल, यांत्रिकीकरण, पर्यावरण संरक्षण, एरोस्पेस तंत्रज्ञान, माहिती इलेक्ट्रॉनिक्स, ऊर्जा आणि इतर क्षेत्रांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले गेले आहे आणि अनेक औद्योगिक क्षेत्रांमध्ये उत्कृष्ट कामगिरीसह एक अपरिवर्तनीय स्ट्रक्चरल सिरॅमिक बनले आहे.आता मी तुम्हाला दाखवतो!

प्रेशरलेस सिंटरिंग

SiC sintering साठी प्रेशरलेस सिंटरिंग ही सर्वात आशादायक पद्धत मानली जाते.वेगवेगळ्या सिंटरिंग यंत्रणेनुसार, दाबरहित सिंटरिंग सॉलिड-फेज सिंटरिंग आणि लिक्विड-फेज सिंटरिंगमध्ये विभागली जाऊ शकते.अल्ट्रा-फाईन β- द्वारे योग्य प्रमाणात B आणि C (ऑक्सिजन सामग्री 2% पेक्षा कमी) एकाच वेळी SiC पावडरमध्ये जोडली गेली आणि एस.proehazka 2020 ℃ येथे 98% पेक्षा जास्त घनता असलेल्या SiC sintered शरीरावर sintered होते.A. मुल्ला वगैरे.Al2O3 आणि Y2O3 हे ऍडिटीव्ह म्हणून वापरले गेले आणि 1850-1950 ℃ वर 0.5 μm β- SiC साठी सिंटर केले गेले (कणांच्या पृष्ठभागावर थोड्या प्रमाणात SiO2 असते).प्राप्त केलेल्या SiC सिरेमिकची सापेक्ष घनता सैद्धांतिक घनतेच्या 95% पेक्षा जास्त आहे आणि धान्य आकार लहान आणि सरासरी आकार आहे.ते 1.5 मायक्रॉन आहे.

हॉट प्रेस सिंटरिंग

कोणत्याही सिंटरिंग अॅडिटीव्हशिवाय शुद्ध SiC केवळ अतिशय उच्च तापमानात कॉम्पॅक्टपणे सिंटरिंग केले जाऊ शकते, म्हणून बरेच लोक SiC साठी हॉट प्रेसिंग सिंटरिंग प्रक्रिया लागू करतात.सिंटरिंग एड्स जोडून SiC च्या हॉट प्रेसिंग सिंटरिंगवर अनेक अहवाल आले आहेत.Alliegro et al.बोरॉन, अॅल्युमिनियम, निकेल, लोह, क्रोमियम आणि इतर मेटल अॅडिटीव्हचा SiC डेन्सिफिकेशनवरील प्रभावाचा अभ्यास केला.परिणाम दर्शविते की SiC हॉट प्रेसिंग सिंटरिंगला प्रोत्साहन देण्यासाठी अॅल्युमिनियम आणि लोह हे सर्वात प्रभावी पदार्थ आहेत.FFlange ने गरम दाबलेल्या SiC च्या गुणधर्मांवर Al2O3 ची भिन्न मात्रा जोडण्याच्या परिणामाचा अभ्यास केला.असे मानले जाते की गरम दाबलेल्या SiC चे घनता विरघळण्याच्या आणि पर्जन्याच्या यंत्रणेशी संबंधित आहे.तथापि, हॉट प्रेस सिंटरिंग प्रक्रिया केवळ साध्या आकारासह SiC भाग तयार करू शकते.एक-वेळच्या हॉट प्रेस सिंटरिंग प्रक्रियेद्वारे उत्पादित केलेल्या उत्पादनांचे प्रमाण फारच कमी आहे, जे औद्योगिक उत्पादनासाठी अनुकूल नाही.

गरम isostatic दाबून sintering

पारंपारिक सिंटरिंग प्रक्रियेतील कमतरता दूर करण्यासाठी, बी-टाइप आणि सी-टाइप अॅडिटीव्ह म्हणून वापरले गेले आणि हॉट आयसोस्टॅटिक प्रेसिंग सिंटरिंग तंत्रज्ञानाचा अवलंब केला गेला.1900 ° C वर, 98 पेक्षा जास्त घनतेसह बारीक क्रिस्टलीय सिरेमिक प्राप्त केले गेले आणि खोलीच्या तपमानावर वाकण्याची शक्ती 600 MPa पर्यंत पोहोचू शकते.जरी हॉट आयसोस्टॅटिक प्रेसिंग सिंटरिंग जटिल आकार आणि चांगल्या यांत्रिक गुणधर्मांसह दाट फेज उत्पादने तयार करू शकते, परंतु सिंटरिंग सीलबंद करणे आवश्यक आहे, जे औद्योगिक उत्पादन प्राप्त करणे कठीण आहे.

प्रतिक्रिया sintering

रिअॅक्शन सिंटर्ड सिलिकॉन कार्बाइड, ज्याला सेल्फ बॉन्डेड सिलिकॉन कार्बाइड असेही म्हणतात, त्या प्रक्रियेचा संदर्भ देते ज्यामध्ये सच्छिद्र बिलेट बिलेटची गुणवत्ता सुधारण्यासाठी, सच्छिद्रता कमी करण्यासाठी आणि विशिष्ट शक्ती आणि मितीय अचूकतेसह सिंटर तयार उत्पादने गॅस किंवा द्रव टप्प्यावर प्रतिक्रिया देते.घ्या α- SiC पावडर आणि ग्रेफाइट एका विशिष्ट प्रमाणात मिसळले जातात आणि सुमारे 1650 ℃ पर्यंत गरम करून चौरस बिलेट तयार करतात.त्याच वेळी, ते वायूयुक्त Si द्वारे बिलेटमध्ये प्रवेश करते किंवा आत प्रवेश करते आणि ग्रेफाइटसह β- SiC तयार करते, विद्यमान α- SiC कणांसह एकत्रित होते.जेव्हा Si पूर्णपणे घुसखोरी केली जाते, तेव्हा संपूर्ण घनता आणि संकोचन नसलेल्या आकारासह प्रतिक्रिया sintered शरीर मिळवता येते.इतर सिंटरिंग प्रक्रियेच्या तुलनेत, घनता प्रक्रियेत प्रतिक्रिया सिंटरिंगचा आकार बदल कमी आहे आणि अचूक आकार असलेली उत्पादने तयार केली जाऊ शकतात.तथापि, सिंटर्ड बॉडीमध्ये मोठ्या प्रमाणात SiC चे अस्तित्व रिअॅक्शन sintered SiC सिरेमिकचे उच्च-तापमान गुणधर्म खराब करते.